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咱们后端设计时也有必要严格遵守相应的天线效应的rule，不然或许会发生MOS管的损坏，以至于影响良率。今日就来简略说一说什么是天线效应，以及消除的办法有哪些。
要想了解antenna，必定要了解金属层是怎么制作的。现代工艺采用了一种叫离子刻蚀的办法，在制作每一层metal layer的时分，会先在这个layer上铺满金属，然后经过离子刻蚀去掉不要的部分，留下来的便是咱们画的net走线了。
可是离子刻蚀的时分空间中会呈现很多的电荷，这些电荷就会附着在金属表面，电荷量的多少与金属面积正相关。现在金属的厚度一般都要大于金属的宽度，相应的金属线侧边会集合更多电荷。
这些net就好像天线相同吸收着空间中的电荷，假设这根net衔接到MOS管的栅极，假设电荷过多就有或许击穿栅氧化层，形成MOS管损坏。
请注意一点，天线效应只是发生在制作的完好过程中，因为制作结束的芯片MOS的栅极必定有一个driver，也便是说会连到某一个source/drain上。
假设真的一条net很多存在电荷，这些电荷也会优先从源漏泄掉，不管是pn结正导游通仍是反向击穿，其发生条件都没有击穿栅氧化层严苛。
为了量化天线效应的影响，咱们引入了天线效应比率的概念，它又分红部分天线效应比率和累积天线效应比率。部分天线效应比率指的是某一层金属的面积比上与他相连的栅的面积，这个比率越大，形成击穿的或许性就越高。
累积天线效应比率指的是一切发生天线效应金属层的部分天线效应比率之和。一般咱们的antenna rule就会根据这两个比率来定，后端在绕线的时分要注意天线效应比率不能超过rule定的spec。
假设发生antenna violation，要怎样消除呢？一般有两种办法：第一是叫跳层法，说的是把本来很长的一段net打断，在中心打via连到上层或基层，然后再打via连回来。这样在核算天线效应比率的时分就能少算金属层的面积，然后消除violation。
第二种办法是在发生violation的net与地之间刺进diode，这样集合的电荷就会优先走diode这条路，就防止损坏MOS管。
这两种办法都有必定缺陷，第一种办法会发生更杂乱的绕线，并且会影响原net的timing等，而第二种办法发生更杂乱绕线的一起还要参加额定的器材，cell density比较高的状况下就更难摆放。
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